電話:021-62522001
作者:黑金剛電容 發(fā)布時(shí)間:2023-09-25 21:11:27 訪問量:1746 來源:超級(jí)電容組
如何區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管與IGBT管?
兩者是不同的管型,一般此類功率器件多數(shù)是并聯(lián)來提高工作電流,而串聯(lián)只能升高工作電壓,而要提高工作電壓可以選擇耐壓較大的管子,不必用管子來串聯(lián)提高,沒有必要!至于是否能加管子那要看電路的功率余量(電源、輸出、驅(qū)動(dòng))一般是不行的。單管IGBT屬于絕緣門極晶體管,第四代逆變技術(shù)。
相對(duì)MOS管皮實(shí)耐用,MOS場(chǎng)效應(yīng)管,屬于第三代逆變技術(shù)。多個(gè)MOS管串聯(lián),其中一個(gè)炸管其他全炸。效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型(junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxidesemiconductorFET,簡稱MOS-FET)。
由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭者。
相關(guān)資訊推薦:
固態(tài)電容在消費(fèi)電子領(lǐng)域的應(yīng)用
固態(tài)電容在高溫環(huán)境下的性能表現(xiàn)如何?
固態(tài)電容相比鋁電解電容有哪些優(yōu)勢(shì)?
聲明:本文由櫻拓貿(mào)易收集整理關(guān)于 黑金剛電容相關(guān)的《如何區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管與IGBT管?》,如轉(zhuǎn)載請(qǐng)保留鏈接:http://www.xhshuba.com/news_in/1232。